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avr的flash和ram存放的数据问题

时间:2017-07-24 15:29来源:USB开发群 作者:USB开发频道 点击:

  

avr单片机是基于哈佛结构,它的程序存储器和数据存储器分开。
avr的Flash存储器空间存放的内容有: (1)text:程序代码区
                               (2)interrupt vectors:存放中断向量
                               (3)fun_lit:函数列表区。函数列表区包含了函数的入口地址。
                               (4)lit:整型数和浮点数常量区。存放的是程序中的常量数据。
                               (5)idata:全局变量和字符串的初始值存放在该区。 本文来自织梦
avr的RAM数据内存中存放的内容有:
                               1)data: 存放全局变量、静态变量和字符串。(注意:全局变量和字符                                 串的初始值保存在Flash中的idata区域,在启动时被复制到RAM中)
                               2)bss:包括未初始化的全局变量。
avr中的EEPROM存放的是HEX文件。


在编程时,要根据程序代码的大小和数据量的大小以及需要的AVR的功能总体考虑来选择AVR的类型。

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顺便附加上对常用存储器的解释: copyright dedecms

从技术上讲,可以分为NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory, 非易失性随机访问存储器)和VRAM(Volatile Random Access Memory, 易失性随机访问存储器)。严格地来说,非易失性存储器应该叫NVM(Non-Volatile Memory),因为有些存储器的随机访问能力非常弱,但是现有的和未来的非易失性存储器都具备不错甚至非常好的随机寻址能力,所以统称为NVRAM。

内容来自dedecms

一 VRAM技术 dedecms.com

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    VRAM技术对应的存储器一般为DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器)和SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器),特点就是掉电后存储信息会丢失。DRAM与SRAM虽然体积小,不受碰撞的影响,速度也非常快,但不具备非易失性,因此在掌上设备中也只能充当传统内存的角色,而这正是NVRAM所能弥补的。NVRAM具备DRAM与SRAM的物理优点,同时具有硬盘永久(相对而言)存储的特性。正是在这种需求的推动下,NVRAM发展迅速,当它的传输速度越来越逼近DRAM,而单片容量又大幅超过DRAM时,人们看到了它巨大的发展潜力,我们使用的PDA、数码相机和手机里都有NVRAM。

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二 NVRAM技术 织梦好,好织梦

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    对于NVRAM,业界似乎没有非常严格的定义,厂商间也有不同的分类(有的厂商仍用NVM统称,有的则一直用NVRAM)。不过,凡是具备永久保存数据能力的半导体存储器都可以称之为NVRAM 织梦好,好织梦

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NVRAM经历了五代产品,如图1所示。其中,Masked ROM是掩模式只读存储器;OTP(One Time Programmable)ROM是只可编程一次只读存储器;EPROM(Erasable Programmable ROM)为可擦可编程只读存储器;而EPROM与EEPROM的替代者(或结合体)就是我们今天常说的闪存(Flash Memory)。 织梦内容管理系统

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1980年,为了解决EEPROM由于只能以位(bit)为单位进行写入和删除而带来的速度慢、成本高的缺陷,Intel在EPROM基础上开发出了能以块为单位进行读写的闪存,因此,Flash Memory也被称为快擦写存储器。 copyright dedecms

    目前主推NOR和AND型闪存。在性能上,DiNOR与NOR相差不多。AND型闪存相对于NAND闪存的改动主要是将传统的位线扩展为发散型嵌入式位线,降低了擦/写电压,性能则与NAND相当。

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目前,NVRAM的主流产品就是闪存,传统的EPROM与EEPROM的应用范围则相对狭窄(但我们还是能见到它们的身影,比如内存模组上SPD芯片)。

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    NVRAM与FLASH等并列,是一种组合方式,一般有两种组合。一种是SRAM+电源,另一种是SRAM+EEPROM。第一种组合电源用尽,非易失性就丢失了;第二种组合是MCU直接操作SRAM,在检测到掉电之后,把SRAM的内容写入到EEPROM,下次在读取内容。这样也实现非易失性,但是存在发生异常时,无法写入EEPROM,而造成内容丢失的情况,也就是不可靠。

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    最新的存储器为FRAM(Ferroelectric RAM,铁电存储器)。RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器(ROM)技术。 正如你所猜想的一样,被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作,而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止)、EEPROM(或写为E2PROM)和Flash(闪存)。 这些存储器不仅写入速度慢,而且只能有限次的擦写,写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。与传统的非易失存储器相比,具有高速、低功耗、长寿命的特点。 copyright dedecms

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(以上关于存储器的内容摘自好友piaoxiang的blog,表示感谢.^_^)

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