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NAND 惨、DRAM 也不妙?传三星平泽厂将大扩产

时间:2017-12-07 07:29来源:USB开发群 作者:USB开发频道 点击:

  

NAND 惨、DRAM 也不妙?传三星平泽厂将大扩产 织梦好,好织梦

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  摩根士丹利(大摩)看淡 NAND Flash 价格,引爆存储器的庞大卖压。部分分析师强调,DRAM 价格仍稳,存储器业情况不会太糟。然而,韩国消息透露,三星电子也许有意在韩国平泽(Pyeongtaek)厂大幅增产 DRAM,要是消息为真,将再次重创存储器业。 织梦内容管理系统


  韩媒 etnews 4 日报导,三星平泽厂区的半导体一号厂,共有两层楼。据称 2 楼无尘室建造进入最后阶段,三星订购首批 3D NAND Flash 设备,估计初期产能为每月 1 万组。

  半导体一号厂的 1 楼设有餐厅和办公室等,剩余空间较少,每月只能生产 10 万组芯片。2 楼空间较多,每月可生产 20 万组芯片。2 楼分为东西两翼,东翼预定生产 7 万组 3D NAND Flash 和 3 万组 DRAM,西翼预定生产 10 万组 DRAM,三星不久后应会下单采购 DRAM 设备。

  报导称,要是三星加快投资脚步,并决定把 2 楼多用于生产 DRAM,DRAM 可能供过于求,价格由涨转跌。业界人士说,存储器价格取决于三星投资速度;不仅如此,三星的西安厂可能也会投资增产(应为 NAND Flash),料于 2018 年底或 2019 年启动。

  此一消息也许不利美光。大摩分析师之前表示,尽管 NAND Flash 价格走低,DRAM 仍是亮点,将支撑美光股价。巴伦周刊(Barron’s)1 日报导,大摩分析师 Joseph Moore 报告称,NAND 在美光营运比重占不到三分之一,大摩坚守 NAND 价格将跌的看法,但是由于 DRAM 价格持稳,美光仍有可观的盈余成长空间,近来拉回是进场机会。

  1 日美光下跌 0.94% 收在 41.99 美元,为连续第 5 天收低。52RD.com  微博关注:  微信关注:admin_52RD
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