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兆易创新入局DRAM竞争 产业链密切协作推进存储产业发展

时间:2017-11-13 23:41来源:USB开发群 作者:USB开发频道 点击:

  

兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司最近签署《关于存储器研发项目之合作协议》,约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,项目预算约为180亿元。此前,业界一直有兆易创新将与合肥长鑫合作发展DRAM内存芯片的消息传出。此协议的签署表明兆易创新正式加入存储竞争格局。

除兆易创新以及合肥长鑫外,国内投入存储芯片的主要企业还包括长江存储和福建晋华,目前三大存储芯片企业均在加紧建设存储芯片工厂,最快的预计将于明年下半年开始投产。也就是说,2018年有望成为国产存储器主流化发展元年。

兆易创新入局DRAM竞争 产业链密切协作推进存储产业发展

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织梦好,好织梦

 兆易创新正式入局DRAM内存竞争

10月31日晚间,兆易创新发布重大事项停牌公告,称拟筹划重大事项,该事项可能涉及发行股份购买资产。业界分析此举或与合肥方面签署180亿元存储器项目有关。根据合作协议,兆易创新将在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)的研发,目标是在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率不低于10%。项目预算达180亿元,兆易创新与合肥产投将根据1∶4的比例负责筹集,兆易创新负责筹集约36亿元。

当前,兆易创新的主导产品为特种存储器NORFlash,是全球五大NORFlash供应商之一,同时也供应SPINAND和SLCNAND等。兆易创新一直希望进入主流存储器DRAM内存市场。此前,兆易创新曾计划收购芯成半导体(ISSI),作为DRAM研发基地。芯成半导体是国际主要SRAM供应商之一,也有部分DRAM产品。该合作案终止后,兆易创新又转而启动了与合肥的合作研发计划。作为合肥发展存储器的主要平台,合肥长鑫计划投资72亿美元建设存储芯片工厂,以DRAM存储芯片为主。

目前国内主流存储器芯片的参与者主要有三家,分别是国家集成电路产业投资基金和紫光集团共同投资的长江存储、福建晋华和合肥长鑫。长江存储初期定位于3DNAND生产,后期将进行DRAM产品的开发。9月28日,长江存储的一号生产及动力厂房实现提前封顶,预计将于2018年投入使用,项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。长江存储CEO杨士宁表示,在武汉将产生距世界前沿最近的中国自主生产的存储器芯片产品,满产后能供应国内存储芯片需求的50%以上。

福建晋华以DRAM存储芯片为主,投资额达到370亿元,预计2018年投产。其与中国台湾地区主要代工厂之一的联电合作,由后者协助开发DRAM存储芯片技术。日前,联电表示将于明年第四季度完成第一阶段技术开发。

   国际大厂扩产将形成价格压力

根据三家存储厂的规划,研发及投产的时间点大多落在2018年。因此,明年将成为国产存储器发展的关键一年。而从市场状况来看,2017年全球内存芯片价格持续高涨,集邦咨询数据显示,2017年全球内存平均销售单价较去年增长35.2%,全球内存产业营收增长60%~65%。如果这种局面得以延续,对新投入存储市场的中国企业来说将是一大利好,对开局是一个有利条件。

然而,日前有消息称,三星等国际存储器大厂已有2018年扩产的计划。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究协理吴雅婷指出,以主流标准型内存模组(DDR44GB)合约价为例,从去年中开始起涨,由当时的13美元均价拉升至今年第四季度合约价30.5美元,报价连续6个季度增长,合计涨幅超过130%,带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升。

在连续数季内存价格上升的带动下,SK海力士、美光皆累积许多现金在手。有了丰沛的资源,SK海力士将在年底展开18nm制程,无锡二厂也将在明年兴建,预计2019年产出;美光借着股价水涨船高之际宣布现金增资,代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上做好了准备;三星也有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线,部分转往生产DRAM,并全数采用18nm制程,加上原有Line17还有部分空间可以扩产,预计三星此举最多将2018年DRAM产出量提升80K~100K晶圆,带动三星明年产出供给量由原本预估的增长18%上升至23%。

三星等国际大厂的扩产势必压抑内存价格上涨幅度,同时也将提升中国企业的进入门槛。

   产业链密切协作推进存储产业

市场对存储芯片的需求在不断增长,根据另一研究机构数据,2016年规模最大的细分市场是逻辑电路,容量为883亿美元;存储芯片市场容量居第二位,为743亿美元,两者的差距已缩小到20%以内。中国是全球最大的服务器、PC和智能手机市场,对存储芯片的需求也极为庞大。然而,面对国际巨头产能技术市场等全方位领先优势,中国发展存储芯片势必面临巨大挑战。

对此,兆易创新董事长兼总经理朱一明指出,目前中国企业在特殊存储器市场已经形成一定基础,但在主流存储器如NANDFlash、DRAM方面却存在着鸿沟。国内半导体产业崛起需要上下游产业链之间密切协作互助,形成合力。此前,兆易创新在NORFlash方面与中芯国际合作,发挥虚拟IDM的优势。在DRAM方面,兆易创新也有可能采取同样策略,与合肥长鑫形成类似合作模式。

行业专家莫大康也指出,中国发展存储产业是一个长期的过程,不可能一蹴而就。在未来相当长的一段时间内,中国半导体业必须是一个踏踏实实的“跟随者”与“学习者”,同样又是一个与产业共同进步的“贡献者”。与全球其他地区不同,此次中国倾全力来发展半导体业,因此相对实力十分强大,是全球其他地区与国家无法比拟的,即便暂时道路有些迂回,也没有什么可怕的。

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